RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
3279
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB RAM-Vergleiche
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link