RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3279
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link