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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
83
Rund um 67% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1620
1752
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