RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Comparar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
83
Por volta de 67% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
11.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
83
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.5
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1620
1752
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparações de RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link