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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2697
2417
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Frequency (Mhz) *
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