RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
11.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2697
2417
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link