RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
9.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
2797
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link