RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2797
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link