RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
34
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
2616
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link