Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    24 left arrow 96
    Rund um 75% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16 left arrow 11
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 4.8
    Durchschnittswert bei den Tests
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Einen Fehler melden

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    24 left arrow 96
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.0 left arrow 11.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 4.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2925 left arrow 1062
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche