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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
40
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2051
3180
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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