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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 38% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
40
读取速度,GB/s
12.6
17.0
写入速度,GB/s
7.2
13.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3180
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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