Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 96

周辺 75% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16 11

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 4.8

テスト平均値

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 96
読み出し速度、GB/s

16.0 11.0
書き込み速度、GB/秒

12.5 4.8
メモリ帯域幅、mbps

19200 19200

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 1062

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

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