RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
32
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1756
3372
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link