RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
69
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
4.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1116
2319
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link