RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
总分
Kingston HX318C10FK/4 4GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston HX318C10FK/4 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
69
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
4.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
53
读取速度,GB/s
6.1
10.1
写入速度,GB/s
4.1
8.0
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1116
2319
Kingston HX318C10FK/4 4GB RAM的比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8A
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link