Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Gesamtnote
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Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Gesamtnote
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Unterschiede

Kingston HX318C10FK/4 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    69 left arrow 72
    Rund um 4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    15.3 left arrow 6.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.0 left arrow 4.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 14900
    Rund um 1.29 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    69 left arrow 72
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.1 left arrow 15.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.1 left arrow 8.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1116 left arrow 1817
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche