RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
72
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
4.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
72
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
4.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1116
1817
Kingston HX318C10FK/4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link