RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Vergleichen Sie
Kingston K531R8-MIN 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Gesamtnote
Kingston K531R8-MIN 4GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston K531R8-MIN 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
36
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston K531R8-MIN 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2445
3074
Kingston K531R8-MIN 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link