RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF552C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KF552C40-16 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Gesamtnote
Kingston KF552C40-16 16GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF552C40-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
71
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KF552C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR5
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3343
1902
Kingston KF552C40-16 16GB RAM-Vergleiche
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link