RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
40
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2363
3343
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link