RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
40
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2363
3343
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link