RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
62
Rund um -170% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2963
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link