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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
38
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2496
2104
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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