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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
35
Rund um 9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
32
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
10.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
7.4
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3084
2124
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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