Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB vs Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    67 left arrow 74
    Rund um -10% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,338.6 left arrow 1,261.3
    Durchschnittswert bei den Tests

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    74 left arrow 67
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,818.5 left arrow 3,206.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,261.3 left arrow 1,338.6
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    378 left arrow 447
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