Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB против Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    67 left arrow 74
    Около -10% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    1,338.6 left arrow 1,261.3
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    74 left arrow 67
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,818.5 left arrow 3,206.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,261.3 left arrow 1,338.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    5300 left arrow 5300
Other
  • Описание
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    378 left arrow 447
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения