Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB vs Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    67 left arrow 74
    Intorno -10% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    1,338.6 left arrow 1,261.3
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    74 left arrow 67
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,818.5 left arrow 3,206.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,261.3 left arrow 1,338.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    378 left arrow 447
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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