Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB vs Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Puntuación global
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Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Puntuación global
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Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    67 left arrow 74
    En -10% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    1,338.6 left arrow 1,261.3
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    74 left arrow 67
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,818.5 left arrow 3,206.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,261.3 left arrow 1,338.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    378 left arrow 447
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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