Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB vs Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    67 left arrow 74
    Wokół strony -10% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    1,338.6 left arrow 1,261.3
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    74 left arrow 67
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,818.5 left arrow 3,206.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,261.3 left arrow 1,338.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    378 left arrow 447
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania