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Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB vs Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

総合得点
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Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB

総合得点
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Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
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Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    67 left arrow 74
    周辺 -10% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,338.6 left arrow 1,261.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16HTF12864HY-667G1 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    74 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    2,818.5 left arrow 3,206.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,261.3 left arrow 1,338.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    378 left arrow 447

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