RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
32
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3084
2955
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link