RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
32
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3084
2955
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link