RAM-Vergleich Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Gesamtnote

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 60

Rund um -140% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.2 6.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.4 5.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 14900

Rund um 1.29 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1411 2104

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns