RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2432
3306
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link