RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
77
Rund um 66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
5.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2432
1440
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link