Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Gesamtnote
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Unterschiede

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 29
    Rund um 10% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.9 left arrow 13.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    11.0 left arrow 9.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 12800
    Rund um 1.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.9 left arrow 13.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.5 left arrow 11.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2432 left arrow 2690
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RAM 1
RAM 2

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