RAM-Vergleich Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Gesamtnote

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

25 29

Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.1 11.0

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 17000

Rund um 1.13% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.8 13.4

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3419 2690

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns