RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Comparez
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Note globale
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.1
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3419
2690
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaison des RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link