RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Comparez
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Note globale
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2181
2690
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link