Comparación de la memoria RAM Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Puntuación global

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

25 29

En 14% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

12.1 11.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 17000

En 1.13% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

no data / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3419 2690

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns