RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Gesamtnote
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
6.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2432
2339
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link