RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Gesamtnote
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
35
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2432
3191
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965516-477.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link