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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Compara
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2432
3191
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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