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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
75
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
12.7
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
2969
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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