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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
75
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
4200
左右 4.57 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
35
读取速度,GB/s
1,943.5
15.6
写入速度,GB/s
1,672.1
12.7
内存带宽,mbps
4200
19200
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
2969
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
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