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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
75
Rund um -168% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
12.4
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
3305
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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