RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
3200
Rund um 5.31 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
11.8
Speicherbandbreite, mbps
3200
17000
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2858
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link