RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
75
Rund um -213% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
17.0
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
4064
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link