RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
75
Wokół strony -213% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
24
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
4064
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link