RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
75
Rund um -178% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
1,672.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,943.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,672.1
11.3
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
301
2687
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM-Vergleiche
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link